Минпромторг планирует направить 1,1 млрд руб. на разработку технологий изготовления и организацию опытно-промышленного производства материалов для производства российских лазеров, необходимых для создания чипов.

Речь идет о квантоворазмерных гетероэпитаксиальных структурах на базе отечественных кристаллов и подложек арсенида галлия. Эти материалы предназначены для использования при производстве лазерных полупроводниковых диодов для систем накачки мощных лазеров, оборудования для лазерной обработки металлов, в том числе 3D-печати и лазерной медицинской техники.

В настоящее время отечественные аналоги разрабатываемых материалов отсутствуют, а зарубежные — недоступны для поставки и исследований.

В июле сообщалось, что «Микрон» к 2028 году может наладить серийный выпуск чипов по топологии 65 нм.