Правительство России направит 54,5 млрд руб. на строительство двух технологических центров по разработке и внедрению отечественного оборудования и материалов в микроэлектронику. Центры запустят в эксплуатацию в 2028 году.

Первый объект, «Базовый центр», будет работать с микроэлектроникой и силовой электроникой по технологии 250-90 нм на пластинах диаметром 200 мм. Второй — «Стартовый центр» — также займется разработкой силовых электронных устройств, применяя пластины меньшего диаметра — от 100 до 150 мм по топологии более 180 нм.

Центры предназначены для перевода результатов научно-исследовательской и опытно-конструкторской деятельности в серийное производство, создавая отечественное оборудование и материалы для электронной промышленности.

По мнению автора Telegram-канала RUSmicro Алексея Бойко, такие проекты зачастую подразумевают организацию экспериментальных производственных линий, где возможно тестирование отдельных элементов, а также разработка и проверка технологических процессов. Отдельные эксперты считают, что такие площадки полезны производителям, поскольку помогают снизить риски и ускорить запуск новых производств.