Минпромторг планирует разработать установку химико-механического полирования диэлектрических слоев диоксида кремния, вольфрама и меди. Она будет применяться для изготовления чипов с топологическими нормами от 180 до 90 нм на пластинах диаметром 200 мм.

Вложения в проект составят более 1,7 млрд руб. Уточняется, что разрабатываемое решение будет аналогом американской установки MIRRA Mesa Integrated System 200 производства Applied Materials.

По словам представителя ведомства, потребителями отечественной установки станут заводы «Микрон» и «НМ-ТЕХ», а также ряд других предприятий, которые используют химико-механическую полировку в своих процессах. Ожидается, что работы будут завершены в ноябре 2028 года.

В сентябре Минпромторг объявил конкурс на разработку опытного образца станка для нарезания заготовок из кремниевых пластин — первого этапа в технологическом процессе изготовления микропроцессоров и электронной компонентной базы. Оборудование должно быть готово к 30 ноября 2026 года.