Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) закончил третий этап опытно-конструкторских работ по созданию фотолитографической установки.

Оборудование предназначено для проекционного переноса изображения топологического рисунка интегральных схем на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм и мультипликации его на пластине при изготовлении сверхбольших интегральных схем с проектной топологической нормой 130 нм.

Ключевая особенность оборудования — использование в качестве источника излучения эксимерных лазеров с длиной волны 193 нм. Такие источники излучения применяются в мировой практике для DUV-литографии (глубокая ультрафиолетовая литография) при производстве чипов с нормами 130 нм и меньше.

На данный момент создан опытный образец. В дальнейшем предстоят предварительные испытания и постановка базового технологического процесса.

В августе 2026 года сообщалось, что ЗНТЦ работает над созданием отечественного сканирующего электронного микроскопа. Его планируется использовать для контроля полупроводниковых пластин диаметром 100, 150 и 200 мм.